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El polvo de silicio esf\u00e9rico se usa ampliamente en el empaque de circuitos integrados debido a su excelente fluidez y bajo coeficiente de expansi\u00f3n t\u00e9rmica. Con el desarrollo de la tecnolog\u00eda de empaquetado de circuitos integrados a gran y ultra gran escala, se obtienen elementos radiactivos para evitar errores leves en los dispositivos semiconductores. En particular, el micropolvo de s\u00edlice esf\u00e9rica de alta pureza y baja radiactividad con un contenido de uranio (U) (fracci\u00f3n de masa) inferior a 1 \u00d7 10-9 se ha convertido en un foco de investigaci\u00f3n en los \u00faltimos a\u00f1os.<\/p>\n
Primero, el elemento de uranio (U6+) en el polvo de silicio ultrafino se dispersa en la suspensi\u00f3n \u00e1cida, y luego el aerogel de SiO2<\/a> y el dispositivo de adsorci\u00f3n mesoporosa compuesta de cer\u00e1mica de nido de abeja se utiliza para adsorberlo para completar la selecci\u00f3n y purificaci\u00f3n del material, de modo que el silicio ultrafino polvo El contenido total del elemento uranio (U) se reduce a menos de 1 \u00d7 10-9, y finalmente se obtiene polvo de s\u00edlice esf\u00e9rico de alta pureza y baja radiactividad mediante el m\u00e9todo de fusi\u00f3n por llama y tecnolog\u00eda de posprocesamiento no contaminante. El dispositivo de adsorci\u00f3n mesoporoso se puede separar f\u00e1cil y r\u00e1pidamente de la suspensi\u00f3n una vez que se completa la adsorci\u00f3n, y puede realizar el reciclaje y la amplificaci\u00f3n a gran escala; y las muestras obtenidas tienen las caracter\u00edsticas de alta esfericidad y distribuci\u00f3n de tama\u00f1o de part\u00edcula controlable y, al mismo tiempo, el rendimiento de la aplicaci\u00f3n, como el rendimiento de fluidez, es bueno.<\/p>\n
1. Selecci\u00f3n y purificaci\u00f3n de micros\u00edlice<\/p>\n
El primer paso es pretratar el micropolvo de silicio que contiene uranio (U).<\/p>\n
El segundo paso es preparar un dispositivo de adsorci\u00f3n mesoporoso.<\/p>\n
El tercer paso, adsorci\u00f3n y purificaci\u00f3n.<\/p>\n
Sin embargo, debido a que no se elimin\u00f3 el elemento de uranio hexavalente disperso en la suspensi\u00f3n \u00e1cida, el elemento de uranio se vuelve a absorber en la superficie de las part\u00edculas de micropolvo de silicio durante el proceso de sedimentaci\u00f3n y secado, lo que reduce el efecto de purificaci\u00f3n. elemento de uranio Despu\u00e9s de usar el dispositivo de adsorci\u00f3n mesoporoso, el elemento de uranio hexavalente (U6+) disperso en la suspensi\u00f3n podr\u00eda ser absorbido de manera efectiva por el aerogel a base de SiO2<\/a> y disminuir gradualmente con el aumento de los tiempos de adsorci\u00f3n. Despu\u00e9s de tres experimentos de purificaci\u00f3n y separaci\u00f3n, el contenido de elementos de uranio (U) se puede reducir a 6 \u00d7 10-10. Esto demuestra que cuando la pureza del material no puede cumplir con los requisitos para la producci\u00f3n directa de polvo de s\u00edlice esf\u00e9rico de alta pureza y baja radioactividad, el contenido de uranio tambi\u00e9n se puede reducir mediante el uso de la tecnolog\u00eda de purificaci\u00f3n selectiva. Los resultados experimentales tambi\u00e9n muestran que el uranio en el micropolvo de silicio se puede separar de manera efectiva mediante lavado con \u00e1cido, y el uranio separado se puede adsorber de manera eficiente mediante el material de adsorci\u00f3n mesoporoso. Sobre la base de esta tecnolog\u00eda de proceso, se puede llevar a cabo la producci\u00f3n por lotes posterior.<\/p>\n
2. Dise\u00f1o de distribuci\u00f3n de tama\u00f1o de part\u00edcula y esferoidizaci\u00f3n<\/p>\n