{"id":131537,"date":"2024-04-07T13:54:23","date_gmt":"2024-04-07T05:54:23","guid":{"rendered":"https:\/\/www.alpapowder.com\/131537\/"},"modified":"2024-04-07T13:54:23","modified_gmt":"2024-04-07T05:54:23","slug":"diferencias-en-la-aplicacion-de-obleas-de-zafiro-con-diferentes-orientaciones-de-cristal","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.alpapowder.com\/es\/131537\/","title":{"rendered":"Diferencias en la aplicaci\u00f3n de obleas de zafiro con diferentes orientaciones de cristal"},"content":{"rendered":"

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El zafiro es un monocristal de \u00f3xido de aluminio. Tiene un sistema cristalino trigonal y una estructura hexagonal. Su estructura cristalina est\u00e1 compuesta por tres \u00e1tomos de ox\u00edgeno y dos \u00e1tomos de aluminio combinados por enlaces covalentes. Est\u00e1 dispuesto de forma muy apretada y tiene fuertes cadenas de uni\u00f3n, tiene una alta energ\u00eda reticular y casi no tiene impurezas ni defectos dentro del cristal, por lo que tiene un excelente aislamiento el\u00e9ctrico, transparencia, buena conductividad t\u00e9rmica y propiedades de alta rigidez, y se usa ampliamente como ventanas \u00f3pticas. y materiales de sustrato de alto rendimiento. Sin embargo, la estructura molecular del zafiro es compleja y anisotr\u00f3pica. El procesamiento y uso de diferentes orientaciones de cristal tienen efectos muy diferentes sobre las propiedades f\u00edsicas correspondientes, por lo que los usos tambi\u00e9n son diferentes. En t\u00e9rminos generales, los sustratos de zafiro est\u00e1n disponibles en orientaciones de plano C, R, A y M.<\/p>\n

Aplicaci\u00f3n del zafiro del lado C<\/p>\n

Como semiconductor de banda prohibida ancha de tercera generaci\u00f3n, el material de nitruro de galio (GaN) tiene propiedades como banda prohibida directa amplia, enlaces at\u00f3micos fuertes, alta conductividad t\u00e9rmica, buena estabilidad qu\u00edmica (casi no se corroe con ning\u00fan \u00e1cido) y fuerte con excelente resistencia a la radiaci\u00f3n. , tiene amplias perspectivas en la aplicaci\u00f3n de optoelectr\u00f3nica, dispositivos de alta temperatura y alta potencia y dispositivos de microondas de alta frecuencia. Sin embargo, debido al alto punto de fusi\u00f3n del GaN, actualmente es dif\u00edcil obtener materiales monocristalinos de gran tama\u00f1o. Por lo tanto, un m\u00e9todo com\u00fan es realizar un crecimiento heteroepitaxial en otros sustratos, lo que tiene mayores requisitos para los materiales del sustrato.<\/p>\n

Aplicaci\u00f3n del zafiro del lado A<\/p>\n

Debido a sus excelentes propiedades integrales, especialmente su excelente transmitancia, el monocristal de zafiro puede mejorar el efecto de penetraci\u00f3n de los rayos infrarrojos, lo que lo convierte en un material ideal para ventanas de infrarrojo medio y se ha utilizado ampliamente en equipos optoelectr\u00f3nicos militares. Entre ellos, el zafiro del lado A es la superficie en la direcci\u00f3n normal de la superficie polar (lado C) y es una superficie no polar. Generalmente, la calidad de los cristales de zafiro cultivados en la direcci\u00f3n a es mejor que la de los cristales cultivados en la direcci\u00f3n c. Tiene menos dislocaciones, menos estructuras de mosaico y una estructura cristalina m\u00e1s completa, etc., por lo que tiene un mejor rendimiento de transmisi\u00f3n de luz. Al mismo tiempo, debido a la superficie A, el m\u00e9todo de enlace at\u00f3mico de Al-O-Al-O hace que la dureza y la resistencia al desgaste del zafiro en la direcci\u00f3n a sean significativamente mayores que las del zafiro en la direcci\u00f3n c. Por lo tanto, las obleas en direcci\u00f3n A se utilizan principalmente como materiales para ventanas; Adem\u00e1s, el zafiro en direcci\u00f3n A tambi\u00e9n tiene una constante diel\u00e9ctrica uniforme y altas propiedades de aislamiento, por lo que puede usarse en tecnolog\u00eda de microelectr\u00f3nica h\u00edbrida y tambi\u00e9n puede usarse para el crecimiento de superconductores altos.<\/p>\n

Aplicaci\u00f3n de zafiro de superficie R\/superficie M<\/p>\n

El plano R es el plano no polar del zafiro. Por tanto, los cambios en la posici\u00f3n del plano R en los dispositivos de zafiro le confieren diferentes propiedades mec\u00e1nicas, t\u00e9rmicas, el\u00e9ctricas y \u00f3pticas. En t\u00e9rminos generales, los sustratos de zafiro del plano R se prefieren para la deposici\u00f3n heteroepitaxial de silicio, principalmente para la fabricaci\u00f3n de aplicaciones de semiconductores, microondas y circuitos integrados microelectr\u00f3nicos. Tambi\u00e9n se puede utilizar el crecimiento de sustrato tipo R. Con la popularidad actual de los tel\u00e9fonos inteligentes y los sistemas de tabletas, los sustratos de zafiro de superficie R han reemplazado los dispositivos SAW compuestos existentes utilizados en tel\u00e9fonos inteligentes y tabletas, proporcionando un sustrato de dispositivo que puede mejorar el rendimiento.<\/p>\n

Adem\u00e1s, cuando se utiliza el plano R o el plano M para hacer crecer capas epitaxiales no polares\/semipolares, en comparaci\u00f3n con el sustrato de zafiro del plano C, puede mejorar parcial o incluso completamente los problemas causados por el campo de polarizaci\u00f3n en el dispositivo emisor de luz. Por tanto, el material del sustrato utilizado como LED puede ayudar a mejorar la eficiencia luminosa. Sin embargo, al procesar o cortar, elegir la cara m como superficie de corte es propenso a agrietarse y es dif\u00edcil preparar una superficie de alta calidad.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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