{"id":132116,"date":"2024-05-20T10:02:23","date_gmt":"2024-05-20T02:02:23","guid":{"rendered":"https:\/\/www.alpapowder.com\/132116\/"},"modified":"2024-05-20T10:02:24","modified_gmt":"2024-05-20T02:02:24","slug":"aplicacion-del-nitruro-de-aluminio-en-el-campo-de-la-alta-conductividad-termica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.alpapowder.com\/es\/132116\/","title":{"rendered":"Aplicaci\u00f3n del nitruro de aluminio en el campo de la alta conductividad t\u00e9rmica."},"content":{"rendered":"
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En la actualidad, la aplicaci\u00f3n del nitruro de aluminio en el campo de la alta conductividad t\u00e9rmica se centra principalmente en dos aspectos: sustrato de embalaje y relleno termoconductor.<\/p>\n
Material de sustrato de embalaje electr\u00f3nico ideal<\/p>\n
El sustrato del embalaje utiliza principalmente la alta conductividad t\u00e9rmica del propio material para alejar el calor del chip (fuente de calor) y lograr el intercambio de calor con el entorno externo. Para dispositivos semiconductores de potencia, el sustrato del embalaje debe cumplir los siguientes requisitos:<\/p>\n
(1) Alta conductividad t\u00e9rmica;<\/p>\n
(2) Haga coincidir el coeficiente de expansi\u00f3n t\u00e9rmica del material del chip;<\/p>\n
(3) Tiene buena resistencia al calor, cumple con los requisitos de uso a alta temperatura de los dispositivos el\u00e9ctricos y tiene buena estabilidad t\u00e9rmica;<\/p>\n
(4) Buen aislamiento, que cumpla con los requisitos de interconexi\u00f3n el\u00e9ctrica y aislamiento del dispositivo;<\/p>\n
(5) Alta resistencia mec\u00e1nica, que cumple con los requisitos de resistencia de los procesos de procesamiento, embalaje y aplicaci\u00f3n de dispositivos;<\/p>\n
(6) El precio es apropiado y adecuado para la producci\u00f3n y aplicaci\u00f3n a gran escala.<\/p>\n
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Relleno conductor t\u00e9rmico<\/p>\n
Con la miniaturizaci\u00f3n y la alta integraci\u00f3n de los productos electr\u00f3nicos y sus dispositivos, los problemas de disipaci\u00f3n de calor se han convertido en un importante cuello de botella que restringe el desarrollo de la tecnolog\u00eda electr\u00f3nica, y los materiales compuestos t\u00e9rmicamente conductores, como los materiales de interfaz t\u00e9rmica, que determinan el efecto de disipaci\u00f3n de calor, han atra\u00eddo cada vez m\u00e1s mas atencion.<\/p>\n
Actualmente, los materiales compuestos t\u00e9rmicamente conductores comerciales est\u00e1n compuestos generalmente de pol\u00edmeros y cargas t\u00e9rmicamente conductores. Dado que la conductividad t\u00e9rmica de los pol\u00edmeros es muy baja, generalmente inferior a 0,5 W\/m\u00b7K, la conductividad t\u00e9rmica de los materiales compuestos t\u00e9rmicamente conductores est\u00e1 determinada principalmente por cargas t\u00e9rmicamente conductoras. En la actualidad, las cargas m\u00e1s utilizadas en el mercado son las cargas de \u00f3xido representadas por Al2O3, etc. Sin embargo, la conductividad t\u00e9rmica intr\u00ednseca de la al\u00famina es s\u00f3lo de 38~42W\/m\u00b7K. Debido a su limitaci\u00f3n, ser\u00e1 dif\u00edcil preparar materiales de disipaci\u00f3n de calor que cumplan con los requisitos del futuro. Materiales compuestos termoconductores requeridos por el mercado.<\/p>\n
Cabe se\u00f1alar que, aunque el rendimiento general del nitruro de aluminio es mucho mejor que el del \u00f3xido de aluminio, el \u00f3xido de berilio y el carburo de silicio, y se considera un material ideal para sustratos semiconductores altamente integrados y embalajes de dispositivos electr\u00f3nicos, es propenso a la hidr\u00f3lisis. absorbiendo agua del aire. La reacci\u00f3n hace que la superficie se cubra con una pel\u00edcula de hidr\u00f3xido de aluminio, que interrumpe la ruta de conducci\u00f3n t\u00e9rmica y afecta la transmisi\u00f3n de fonones. Adem\u00e1s, su gran contenido de relleno aumentar\u00e1 en gran medida la viscosidad del pol\u00edmero, lo que no favorece el procesamiento del moldeo.<\/p>\n
Para superar los problemas anteriores, se debe llevar a cabo la modificaci\u00f3n de la superficie de las part\u00edculas t\u00e9rmicamente conductoras de nitruro de aluminio para mejorar el problema de uni\u00f3n de la interfaz entre las dos. En la actualidad, existen dos m\u00e9todos principales para modificar la superficie de part\u00edculas inorg\u00e1nicas. Uno es el m\u00e9todo de reacci\u00f3n qu\u00edmica de superficie, que consiste en la adsorci\u00f3n o reacci\u00f3n de sustancias moleculares peque\u00f1as, como agentes de acoplamiento, en la superficie de part\u00edculas inorg\u00e1nicas. El otro es el m\u00e9todo de injerto de superficie, que es una reacci\u00f3n de injerto entre mon\u00f3meros polim\u00e9ricos y grupos hidroxilo en la superficie de part\u00edculas inorg\u00e1nicas.<\/p>\n
Actualmente se utilizan com\u00fanmente modificaciones de superficie de agentes de acoplamiento, tales como agentes de acoplamiento de silano y titanato y otros tipos de agentes de tratamiento de superficies. En comparaci\u00f3n con el m\u00e9todo de reacci\u00f3n qu\u00edmica de superficie, el m\u00e9todo de injerto de superficie tiene mayor flexibilidad. Puede seleccionar mon\u00f3meros y procesos de reacci\u00f3n de injerto que cumplan las condiciones seg\u00fan diferentes requisitos caracter\u00edsticos.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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