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Le carbure de silicium (SiC) est un mat\u00e9riau c\u00e9ramique structurel dot\u00e9 d’excellentes propri\u00e9t\u00e9s. Les pi\u00e8ces en carbure de silicium, c’est-\u00e0-dire les pi\u00e8ces d’\u00e9quipement en carbure de silicium et ses mat\u00e9riaux composites comme mat\u00e9riaux principaux, pr\u00e9sentent les caract\u00e9ristiques d’une densit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e, d’une conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e, d’une r\u00e9sistance \u00e0 la flexion \u00e9lev\u00e9e, d’un module d’\u00e9lasticit\u00e9 \u00e9lev\u00e9, etc., et peuvent \u00eatre adapt\u00e9es \u00e0 la tranche. \u00e9pitaxie, gravure, etc. En raison de l’environnement de r\u00e9action tr\u00e8s corrosif et \u00e0 tr\u00e8s haute temp\u00e9rature dans le processus de fabrication, il est largement utilis\u00e9 dans les principaux \u00e9quipements semi-conducteurs tels que les \u00e9quipements de croissance \u00e9pitaxiale, les \u00e9quipements de gravure et les \u00e9quipements d’oxydation\/diffusion\/recuit.<\/p>\n
Selon la structure cristalline, il existe de nombreuses formes cristallines de carbure de silicium. Actuellement, les SiC courants sont principalement de type 3C, 4H et 6H. Diff\u00e9rentes formes cristallines de SiC ont des utilisations diff\u00e9rentes. Parmi eux, le 3C-SiC est aussi souvent appel\u00e9 \u03b2-SiC. Une utilisation importante du \u03b2-SiC est comme mat\u00e9riau de film et de rev\u00eatement. Par cons\u00e9quent, le \u03b2-SiC est actuellement le mat\u00e9riau principal pour le rev\u00eatement \u00e0 base de graphite.<\/p>\n
Selon le processus de pr\u00e9paration, les pi\u00e8ces en carbure de silicium peuvent \u00eatre divis\u00e9es en carbure de silicium par d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur (CVD SiC), carbure de silicium fritt\u00e9 par r\u00e9action, carbure de silicium fritt\u00e9 par recristallisation, carbure de silicium fritt\u00e9 \u00e0 pression atmosph\u00e9rique, carbure de silicium fritt\u00e9 par pressage \u00e0 chaud, frittage par pressage isostatique \u00e0 chaud et carbonisation Silicium, etc.<\/p>\n
Pi\u00e8ces en carbure de silicium<\/p>\n
1. Pi\u00e8ces en carbure de silicium CVD<\/p>\n
Les composants en carbure de silicium CVD sont largement utilis\u00e9s dans les \u00e9quipements de gravure, les \u00e9quipements MOCVD, les \u00e9quipements \u00e9pitaxiaux SiC, les \u00e9quipements de traitement thermique rapide et d’autres domaines.<\/p>\n
\u00c9quipement de gravure\u00a0: le segment de march\u00e9 le plus important pour les composants CVD en carbure de silicium est l’\u00e9quipement de gravure. Les composants en carbure de silicium CVD dans les \u00e9quipements de gravure comprennent des bagues de focalisation, des pommes de douche \u00e0 gaz, des plateaux, des anneaux de bord, etc. En raison de la faible r\u00e9activit\u00e9 et conductivit\u00e9 du carbure de silicium CVD aux gaz de gravure contenant du chlore et du fluor, il devient un mat\u00e9riau id\u00e9al pour le plasma. des composants tels que des bagues de mise au point dans les \u00e9quipements de gravure.<\/p>\n
Rev\u00eatement \u00e0 base de graphite\u00a0: le d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur \u00e0 basse pression (CVD) est actuellement le proc\u00e9d\u00e9 le plus efficace pour pr\u00e9parer des rev\u00eatements SiC denses. L’\u00e9paisseur des rev\u00eatements CVD-SiC est contr\u00f4lable et pr\u00e9sente les avantages de l’uniformit\u00e9. Les bases en graphite rev\u00eatues de SiC sont couramment utilis\u00e9es dans les \u00e9quipements de d\u00e9p\u00f4t chimique en phase vapeur organom\u00e9tallique (MOCVD) pour supporter et chauffer des substrats monocristallins. Ils constituent le noyau et les composants cl\u00e9s des \u00e9quipements MOCVD.<\/p>\n
2. Pi\u00e8ces en carbure de silicium fritt\u00e9 par r\u00e9action<\/p>\n
Pour les mat\u00e9riaux SiC fritt\u00e9s par r\u00e9action (infiltration r\u00e9active ou liaison par r\u00e9action), le retrait de la ligne de frittage peut \u00eatre contr\u00f4l\u00e9 en dessous de 1\u00a0% et la temp\u00e9rature de frittage est relativement basse, ce qui r\u00e9duit consid\u00e9rablement les exigences en mati\u00e8re de contr\u00f4le de la d\u00e9formation et d’\u00e9quipement de frittage. Par cons\u00e9quent, cette technologie pr\u00e9sente l\u2019avantage de permettre de r\u00e9aliser facilement des composants \u00e0 grande \u00e9chelle et a \u00e9t\u00e9 largement utilis\u00e9e dans les domaines de la fabrication de structures optiques et de pr\u00e9cision.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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