![\"\"](\"https:\/\/www.alpapowder.com\/wp-content\/uploads\/2024\/04\/sapphire-chip-1024x576.jpeg\")
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Le saphir est un monocristal d’oxyde d’aluminium. Il poss\u00e8de un syst\u00e8me cristallin trigonal et une structure hexagonale. Sa structure cristalline est compos\u00e9e de trois atomes d’oxyg\u00e8ne et de deux atomes d’aluminium r\u00e9unis par des liaisons covalentes. Il est dispos\u00e9 tr\u00e8s \u00e9troitement et poss\u00e8de de solides cha\u00eenes de liaison. Il a une \u00e9nergie de r\u00e9seau \u00e9lev\u00e9e et presque aucune impuret\u00e9 ou d\u00e9faut \u00e0 l’int\u00e9rieur du cristal, il pr\u00e9sente donc une excellente isolation \u00e9lectrique, une excellente transparence, une bonne conductivit\u00e9 thermique et des propri\u00e9t\u00e9s de rigidit\u00e9 \u00e9lev\u00e9es, et est largement utilis\u00e9 comme fen\u00eatres optiques. et des mat\u00e9riaux de substrat haute performance. Cependant, la structure mol\u00e9culaire du saphir est complexe et anisotrope. Le traitement et l’utilisation de diff\u00e9rentes orientations cristallines ont des effets tr\u00e8s diff\u00e9rents sur les propri\u00e9t\u00e9s physiques correspondantes, de sorte que les utilisations sont \u00e9galement diff\u00e9rentes. De mani\u00e8re g\u00e9n\u00e9rale, les substrats en saphir sont disponibles dans les orientations des plans C, R, A et M.<\/p>\n
Application du saphir c\u00f4t\u00e9 C<\/p>\n
En tant que semi-conducteur \u00e0 large bande interdite de troisi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration, le mat\u00e9riau en nitrure de gallium (GaN) poss\u00e8de des propri\u00e9t\u00e9s telles qu’une large bande interdite directe, de fortes liaisons atomiques, une conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e, une bonne stabilit\u00e9 chimique (presque non corrod\u00e9e par aucun acide) et une forte r\u00e9sistance aux radiations. , il a de larges perspectives dans l’application de l’opto\u00e9lectronique, des dispositifs haute temp\u00e9rature et haute puissance et des dispositifs micro-ondes haute fr\u00e9quence. Cependant, en raison du point de fusion \u00e9lev\u00e9 du GaN, il est actuellement difficile d\u2019obtenir des mat\u00e9riaux monocristallins de grande taille. Par cons\u00e9quent, une m\u00e9thode courante consiste \u00e0 effectuer une croissance h\u00e9t\u00e9ro\u00e9pitaxiale sur d\u2019autres substrats, ce qui n\u00e9cessite des mat\u00e9riaux de substrat plus \u00e9lev\u00e9s.<\/p>\n
Application du saphir c\u00f4t\u00e9 A<\/p>\n
En raison de ses excellentes propri\u00e9t\u00e9s globales, en particulier de son excellente transmission, le monocristal de saphir peut am\u00e9liorer l’effet de p\u00e9n\u00e9tration des rayons infrarouges, ce qui en fait un mat\u00e9riau de fen\u00eatre id\u00e9al pour l’infrarouge moyen et a \u00e9t\u00e9 largement utilis\u00e9 dans les \u00e9quipements opto\u00e9lectroniques militaires. Parmi eux, le saphir du c\u00f4t\u00e9 A est la surface dans la direction normale de la surface polaire (c\u00f4t\u00e9 C) et est une surface non polaire. G\u00e9n\u00e9ralement, la qualit\u00e9 des cristaux de saphir d\u00e9velopp\u00e9s dans la direction a est meilleure que celle des cristaux d\u00e9velopp\u00e9s dans la direction c. Il pr\u00e9sente moins de dislocations, moins de structures en mosa\u00efque et une structure cristalline plus compl\u00e8te, etc., ce qui lui conf\u00e8re de meilleures performances de transmission de la lumi\u00e8re. Dans le m\u00eame temps, en raison de la surface A, la m\u00e9thode de liaison atomique de Al-O-Al-O rend la duret\u00e9 et la r\u00e9sistance \u00e0 l’usure du saphir dans la direction a nettement sup\u00e9rieures \u00e0 celles de la direction c. Par cons\u00e9quent, les tranches de direction A sont principalement utilis\u00e9es comme mat\u00e9riaux de fen\u00eatre\u00a0; en outre, saphir de direction A Il poss\u00e8de \u00e9galement une constante di\u00e9lectrique uniforme et des propri\u00e9t\u00e9s d’isolation \u00e9lev\u00e9es, il peut donc \u00eatre utilis\u00e9 dans la technologie micro\u00e9lectronique hybride et peut \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9 pour la croissance de supraconducteurs \u00e9lev\u00e9s.<\/p>\n
Application du saphir \u00e0 surface R\/surface M<\/p>\n
Le plan R est le plan non polaire du saphir. Par cons\u00e9quent, les changements de position du plan R dans les dispositifs en saphir lui conf\u00e8rent des propri\u00e9t\u00e9s m\u00e9caniques, thermiques, \u00e9lectriques et optiques diff\u00e9rentes. D’une mani\u00e8re g\u00e9n\u00e9rale, les substrats en saphir plan R sont pr\u00e9f\u00e9r\u00e9s pour le d\u00e9p\u00f4t h\u00e9t\u00e9ro\u00e9pitaxial de silicium, principalement pour la fabrication d’applications de semi-conducteurs, de micro-ondes et de circuits int\u00e9gr\u00e9s micro\u00e9lectroniques. Une croissance sur substrat de type R peut \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9e. Avec la popularit\u00e9 actuelle des smartphones et des tablettes informatiques, les substrats en saphir \u00e0 surface R ont remplac\u00e9 les dispositifs SAW compos\u00e9s existants utilis\u00e9s dans les smartphones et les tablettes, fournissant un substrat de dispositif capable d’am\u00e9liorer les performances.<\/p>\n
De plus, lorsque le plan R ou le plan M est utilis\u00e9 pour faire cro\u00eetre des couches \u00e9pitaxiales non polaires\/semi-polaires, par rapport au substrat saphir du plan C, il peut am\u00e9liorer partiellement ou m\u00eame compl\u00e8tement les probl\u00e8mes caus\u00e9s par le champ de polarisation dans le dispositif \u00e9metteur de lumi\u00e8re. Par cons\u00e9quent, le mat\u00e9riau de substrat utilis\u00e9 comme LED peut contribuer \u00e0 am\u00e9liorer l\u2019efficacit\u00e9 lumineuse. Cependant, lors du traitement ou de la d\u00e9coupe, le choix de la face M comme surface de coupe est sujet aux fissures et il est difficile de pr\u00e9parer une surface de haute qualit\u00e9.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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