![\"\"](\"https:\/\/www.alpapowder.com\/wp-content\/uploads\/2024\/09\/Silicon-Nitride-in-Chips-1024x579.jpg\")
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Dans la fabrication des puces, il existe un mat\u00e9riau qui joue un r\u00f4le essentiel : le nitrure de silicium (SiNx). Bien qu’il ne re\u00e7oive pas la m\u00eame attention que d’autres mat\u00e9riaux semi-conducteurs plus connus tels que le silicium (Si), l’ars\u00e9niure de gallium (GaAs) ou le nitrure de gallium (GaN), son importance est incontestable. On peut dire que la plupart des puces utiliseront ce mat\u00e9riau.<\/p>\n
Dans l’industrie des semi-conducteurs, le nitrure de silicium utilis\u00e9 dans diverses applications est souvent non uniforme, g\u00e9n\u00e9ralement repr\u00e9sent\u00e9 par SiNx. Le SiNx est un mat\u00e9riau amorphe dont les propri\u00e9t\u00e9s d\u00e9pendent du rapport azote\/silicium, c’est-\u00e0-dire de la valeur de x. Lorsque la valeur de x change, les propri\u00e9t\u00e9s physiques et chimiques du nitrure de silicium changent \u00e9galement. Le nitrure de silicium se pr\u00e9sente sous de nombreuses formes, notamment Si3N4, Si2N2, SiN, etc.<\/p>\n
Si3N4 est un mat\u00e9riau cristallin, ce qui signifie que le rapport silicium\/azote est fixe. Lorsque la valeur de x est \u00e9gale \u00e0 4\/3, SiNx est \u00e9gal \u00e0 Si3N4. Cependant, dans les applications pratiques, le SiNx n’est souvent pas fixe et son rapport silicium\/azote peut \u00eatre ajust\u00e9 en modifiant les param\u00e8tres du processus PVD ou CVD.<\/p>\n
Le nitrure de silicium pr\u00e9sente d’excellentes propri\u00e9t\u00e9s d’isolation, avec une r\u00e9sistivit\u00e9 allant jusqu’\u00e0 10^14 \u03a9\u00b7cm, d\u00e9passant de loin certains mat\u00e9riaux isolants courants tels que l’oxyde de silicium (SiO2<\/a>). Sa faible constante di\u00e9lectrique en fait une couche d’isolation id\u00e9ale dans les applications micro-ondes et radiofr\u00e9quences. La couche de nitrure de silicium agit \u00e9galement comme une barri\u00e8re \u00e0 la diffusion des impuret\u00e9s dans la puce. Elle peut emp\u00eacher les dopants tels que le bore et le phosphore de modifier les caract\u00e9ristiques de l’appareil par diffusion. En outre, elle peut \u00e9galement emp\u00eacher la diffusion d’ions m\u00e9talliques pour \u00e9viter les d\u00e9fauts tels que les courts-circuits.<\/p>\n Le nitrure de silicium pr\u00e9sente une excellente stabilit\u00e9 thermique, qui est d\u00e9termin\u00e9e par ses propri\u00e9t\u00e9s chimiques et sa structure cristalline particuli\u00e8res. Il peut rester stable dans des environnements \u00e0 haute temp\u00e9rature sans d\u00e9composition chimique ni changements physiques comme d’autres mat\u00e9riaux. C’est parce que dans la structure cristalline du nitrure de silicium, chaque atome de silicium est combin\u00e9 \u00e0 quatre atomes d’azote sous la forme d’un t\u00e9tra\u00e8dre, et chaque atome d’azote est \u00e9galement combin\u00e9 \u00e0 quatre atomes de silicium sous la forme d’un t\u00e9tra\u00e8dre. Cette structure rend le r\u00e9seau cristallin du nitrure de silicium extr\u00eamement stable et difficile \u00e0 d\u00e9former. Par cons\u00e9quent, il est utilis\u00e9 comme couche isolante de grille lors de la fabrication de transistors \u00e0 haute mobilit\u00e9 \u00e9lectronique (HEMT).<\/p>\n