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O carboneto de sil\u00edcio (SiC) \u00e9 um material cer\u00e2mico estrutural com excelentes propriedades. Pe\u00e7as de carboneto de sil\u00edcio, ou seja, pe\u00e7as de equipamentos feitas de carboneto de sil\u00edcio e seus materiais comp\u00f3sitos como materiais principais, possuem caracter\u00edsticas de alta densidade, alta condutividade t\u00e9rmica, alta resist\u00eancia \u00e0 flex\u00e3o, grande m\u00f3dulo de elasticidade, etc., e podem ser adaptadas para wafer epitaxia, grava\u00e7\u00e3o, etc. Devido ao ambiente de rea\u00e7\u00e3o severa altamente corrosivo e de temperatura ultra-alta no processo de fabrica\u00e7\u00e3o, \u00e9 amplamente utilizado nos principais equipamentos semicondutores, como equipamentos de crescimento epitaxial, equipamentos de grava\u00e7\u00e3o e equipamentos de oxida\u00e7\u00e3o\/difus\u00e3o\/recozimento.<\/p>\n
De acordo com a estrutura cristalina, existem muitas formas cristalinas de carboneto de sil\u00edcio. Atualmente, os SiC comuns s\u00e3o principalmente dos tipos 3C, 4H e 6H. Diferentes formas cristalinas de SiC t\u00eam usos diferentes. Entre eles, o 3C-SiC tamb\u00e9m \u00e9 frequentemente chamado de \u03b2-SiC. Um uso importante do \u03b2-SiC \u00e9 como filme e material de revestimento. Portanto, o \u03b2-SiC \u00e9 atualmente o principal material para revestimento de base de grafite.<\/p>\n
De acordo com o processo de prepara\u00e7\u00e3o, as pe\u00e7as de carboneto de sil\u00edcio podem ser divididas em carboneto de sil\u00edcio de deposi\u00e7\u00e3o de vapor qu\u00edmico (CVD SiC), carboneto de sil\u00edcio sinterizado por rea\u00e7\u00e3o, carboneto de sil\u00edcio sinterizado por recristaliza\u00e7\u00e3o, carboneto de sil\u00edcio sinterizado \u00e0 press\u00e3o atmosf\u00e9rica, carboneto de sil\u00edcio sinterizado por prensagem a quente, sinteriza\u00e7\u00e3o por prensagem isost\u00e1tica a quente e carboniza\u00e7\u00e3o Sil\u00edcio etc.<\/p>\n
Pe\u00e7as de carboneto de sil\u00edcio<\/p>\n
1. Pe\u00e7as de carboneto de sil\u00edcio CVD<\/p>\n
Os componentes de carboneto de sil\u00edcio CVD s\u00e3o amplamente utilizados em equipamentos de grava\u00e7\u00e3o, equipamentos MOCVD, equipamentos epitaxiais SiC, equipamentos de tratamento t\u00e9rmico r\u00e1pido e outros campos.<\/p>\n
Equipamento de grava\u00e7\u00e3o: O maior segmento de mercado para componentes de carboneto de sil\u00edcio CVD \u00e9 o equipamento de grava\u00e7\u00e3o. Os componentes de carboneto de sil\u00edcio CVD em equipamentos de grava\u00e7\u00e3o incluem an\u00e9is de foco, chuveiros a g\u00e1s, bandejas, an\u00e9is de borda, etc. Devido \u00e0 baixa reatividade e condutividade do carboneto de sil\u00edcio CVD para gases de grava\u00e7\u00e3o contendo cloro e fl\u00faor, ele se torna um plasma Material ideal para componentes como an\u00e9is de foco em equipamentos de grava\u00e7\u00e3o.<\/p>\n
Revestimento de base de grafite: A deposi\u00e7\u00e3o qu\u00edmica de vapor de baixa press\u00e3o (CVD) \u00e9 atualmente o processo mais eficaz para a prepara\u00e7\u00e3o de revestimentos densos de SiC. A espessura dos revestimentos CVD-SiC \u00e9 control\u00e1vel e apresenta as vantagens da uniformidade. As bases de grafite revestidas com SiC s\u00e3o comumente usadas em equipamentos de deposi\u00e7\u00e3o de vapor qu\u00edmico metal-org\u00e2nico (MOCVD) para suportar e aquecer substratos de cristal \u00fanico. Eles s\u00e3o os componentes principais e principais do equipamento MOCVD.<\/p>\n
2. Pe\u00e7as de carboneto de sil\u00edcio sinterizadas por rea\u00e7\u00e3o<\/p>\n
Para materiais de SiC sinterizados por rea\u00e7\u00e3o (infiltra\u00e7\u00e3o reativa ou liga\u00e7\u00e3o de rea\u00e7\u00e3o), o encolhimento da linha de sinteriza\u00e7\u00e3o pode ser controlado abaixo de 1% e a temperatura de sinteriza\u00e7\u00e3o \u00e9 relativamente baixa, o que reduz bastante os requisitos de controle de deforma\u00e7\u00e3o e equipamento de sinteriza\u00e7\u00e3o. Portanto, esta tecnologia tem a vantagem de obter facilmente componentes em grande escala e tem sido amplamente utilizada nas \u00e1reas de fabrica\u00e7\u00e3o de estruturas \u00f3pticas e de precis\u00e3o.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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