{"id":132112,"date":"2024-05-20T09:59:51","date_gmt":"2024-05-20T01:59:51","guid":{"rendered":"https:\/\/www.alpapowder.com\/132112\/"},"modified":"2024-05-20T09:59:52","modified_gmt":"2024-05-20T01:59:52","slug":"aplicacao-de-nitreto-de-aluminio-na-area-de-alta-condutividade-termica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.alpapowder.com\/pt-pt\/132112\/","title":{"rendered":"Aplica\u00e7\u00e3o de nitreto de alum\u00ednio na \u00e1rea de alta condutividade t\u00e9rmica"},"content":{"rendered":"

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Atualmente, a aplica\u00e7\u00e3o de nitreto de alum\u00ednio na \u00e1rea de alta condutividade t\u00e9rmica concentra-se principalmente em dois aspectos: substrato de embalagem e enchimento termocondutor.<\/p>\n

Material de substrato de embalagem eletr\u00f4nica ideal<\/p>\n

O substrato da embalagem utiliza principalmente a alta condutividade t\u00e9rmica do pr\u00f3prio material para conduzir o calor para longe do chip (fonte de calor) e obter troca de calor com o ambiente externo. Para dispositivos semicondutores de pot\u00eancia, o substrato da embalagem deve atender aos seguintes requisitos:<\/p>\n

(1) Alta condutividade t\u00e9rmica;<\/p>\n

(2) Combine o coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica do material do chip;<\/p>\n

(3) Possui boa resist\u00eancia ao calor, atende aos requisitos de uso de alta temperatura de dispositivos de energia e possui boa estabilidade t\u00e9rmica;<\/p>\n

(4) Bom isolamento, atendendo aos requisitos de interconex\u00e3o el\u00e9trica e isolamento do dispositivo;<\/p>\n

(5) Alta resist\u00eancia mec\u00e2nica, atendendo aos requisitos de resist\u00eancia dos processos de processamento, embalagem e aplica\u00e7\u00e3o de dispositivos;<\/p>\n

(6) O pre\u00e7o \u00e9 adequado e adequado para produ\u00e7\u00e3o e aplica\u00e7\u00e3o em larga escala.<\/p>\n

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Enchimento condutor t\u00e9rmico<\/p>\n

Com a miniaturiza\u00e7\u00e3o e alta integra\u00e7\u00e3o de produtos eletr\u00f4nicos e seus dispositivos, as quest\u00f5es de dissipa\u00e7\u00e3o de calor tornaram-se um gargalo importante que restringe o desenvolvimento da tecnologia eletr\u00f4nica, e materiais comp\u00f3sitos termicamente condutores, como materiais de interface t\u00e9rmica, que determinam o efeito de dissipa\u00e7\u00e3o de calor, atra\u00edram mais e mais aten\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

Atualmente, os materiais comp\u00f3sitos termicamente condutivos comerciais s\u00e3o geralmente compostos de pol\u00edmeros e cargas termicamente condutivas. Como a condutividade t\u00e9rmica dos pol\u00edmeros \u00e9 muito baixa, geralmente inferior a 0,5 W\/m\u00b7K, a condutividade t\u00e9rmica dos materiais comp\u00f3sitos termicamente condutivos \u00e9 determinada principalmente por cargas termicamente condutivas. Atualmente, as cargas mais utilizadas no mercado s\u00e3o as cargas de \u00f3xido representadas por Al2O3, etc. No entanto, a condutividade t\u00e9rmica intr\u00ednseca da alumina \u00e9 de apenas 38~42W\/m\u00b7K. Devido \u00e0 sua limita\u00e7\u00e3o, ser\u00e1 dif\u00edcil preparar materiais de dissipa\u00e7\u00e3o de calor que atendam aos requisitos do futuro. Materiais comp\u00f3sitos condutores t\u00e9rmicos exigidos pelo mercado.<\/p>\n

Deve-se salientar que, embora o desempenho geral do nitreto de alum\u00ednio seja muito melhor do que o do \u00f3xido de alum\u00ednio, \u00f3xido de ber\u00edlio e carboneto de sil\u00edcio, e seja considerado um material ideal para substratos semicondutores altamente integrados e embalagens de dispositivos eletr\u00f4nicos, ele \u00e9 propenso \u00e0 hidr\u00f3lise. absorvendo \u00e1gua do ar. A rea\u00e7\u00e3o faz com que a superf\u00edcie seja revestida com uma pel\u00edcula de hidr\u00f3xido de alum\u00ednio, que interrompe o caminho de condu\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica e afeta a transmiss\u00e3o dos f\u00f4nons. Al\u00e9m disso, seu grande conte\u00fado de enchimento aumentar\u00e1 muito a viscosidade do pol\u00edmero, o que n\u00e3o favorece o processamento de moldagem.<\/p>\n

A fim de superar os problemas acima, a modifica\u00e7\u00e3o da superf\u00edcie das part\u00edculas termicamente condutoras de nitreto de alum\u00ednio deve ser realizada para melhorar o problema de liga\u00e7\u00e3o da interface entre os dois. Atualmente, existem dois m\u00e9todos principais para modificar a superf\u00edcie de part\u00edculas inorg\u00e2nicas. Um \u00e9 o m\u00e9todo de rea\u00e7\u00e3o qu\u00edmica de superf\u00edcie, que \u00e9 a adsor\u00e7\u00e3o ou rea\u00e7\u00e3o de pequenas subst\u00e2ncias moleculares, como agentes de acoplamento, na superf\u00edcie de part\u00edculas inorg\u00e2nicas. O outro \u00e9 o m\u00e9todo de enxerto de superf\u00edcie, que \u00e9 uma rea\u00e7\u00e3o de enxerto entre mon\u00f4meros polim\u00e9ricos e grupos hidroxila na superf\u00edcie de part\u00edculas inorg\u00e2nicas.<\/p>\n

Atualmente comumente usadas s\u00e3o modifica\u00e7\u00f5es de superf\u00edcie de agentes de acoplamento, tais como agentes de acoplamento de silano e titanato e outros tipos de agentes de tratamento de superf\u00edcie. Comparado com o m\u00e9todo de rea\u00e7\u00e3o qu\u00edmica de superf\u00edcie, o m\u00e9todo de enxerto de superf\u00edcie tem maior flexibilidade. Pode selecionar mon\u00f4meros e processos de rea\u00e7\u00e3o de enxerto que atendam \u00e0s condi\u00e7\u00f5es de acordo com diferentes requisitos caracter\u00edsticos.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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