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O p\u00f3 esf\u00e9rico de sil\u00edcio tem uma pureza relativamente elevada, part\u00edculas muito finas, boas propriedades diel\u00e9tricas e condutividade t\u00e9rmica e tem as vantagens de um baixo coeficiente de expans\u00e3o. \u00c9 amplamente utilizado em embalagens de circuitos integrados de grande escala, aeroespacial, revestimentos, medicamentos e cosm\u00e9ticos di\u00e1rios, e \u00e9 um enchimento importante e insubstitu\u00edvel.<\/p>\n
Existem dois m\u00e9todos para preparar microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico: m\u00e9todo f\u00edsico e qu\u00edmico e m\u00e9todo qu\u00edmico. Os m\u00e9todos f\u00edsicos e qu\u00edmicos incluem principalmente o m\u00e9todo de chama, o m\u00e9todo de deflagra\u00e7\u00e3o, o m\u00e9todo de pulveriza\u00e7\u00e3o de fus\u00e3o a alta temperatura, o m\u00e9todo de plasma e o m\u00e9todo de combust\u00e3o autopropag\u00e1vel a baixa temperatura. O m\u00e9todo qu\u00edmico inclui principalmente m\u00e9todo de fase gasosa, m\u00e9todo de fase l\u00edquida (m\u00e9todo sol-gel, m\u00e9todo de precipita\u00e7\u00e3o, m\u00e9todo de microemuls\u00e3o), m\u00e9todo de s\u00edntese qu\u00edmica, etc.<\/p>\n
No processo de produ\u00e7\u00e3o do microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico, o controlo rigoroso de cada elo de produ\u00e7\u00e3o \u00e9 a chave para garantir que a qualidade do produto cumpre as normas.<\/p>\n
A principal mat\u00e9ria-prima do microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico \u00e9 o microp\u00f3 de sil\u00edcio angular fundido ou cristalino.<\/p>\n
Estabilidade das mat\u00e9rias-primas<\/p>\n
As mat\u00e9rias-primas utilizadas para produzir microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico s\u00e3o preferencialmente microp\u00f3 de sil\u00edcio angular processado a partir do mesmo fil\u00e3o de min\u00e9rio e do mesmo processo de produ\u00e7\u00e3o, de modo a maximizar a uniformidade das mat\u00e9rias-primas e a garantir que os produtos com elevada taxa de esferoidiza\u00e7\u00e3o sejam produzidos sob a condi\u00e7\u00e3o de que a temperatura de esferoidiza\u00e7\u00e3o, o fornecimento de g\u00e1s, a quantidade de alimenta\u00e7\u00e3o, a press\u00e3o, o caudal e outros fatores se mantenham inalterados.<\/p>\n
Os indicadores f\u00edsicos e qu\u00edmicos das mat\u00e9rias-primas devem ser controlados dentro de um determinado intervalo<\/p>\n
Os indicadores f\u00edsicos e qu\u00edmicos das mat\u00e9rias-primas flutuam muito, o que n\u00e3o s\u00f3 afetar\u00e1 a temperatura de esferoidiza\u00e7\u00e3o, como tamb\u00e9m afetar\u00e1 a dispers\u00e3o das esferas.<\/p>\n
Tamanho das part\u00edculas da mat\u00e9ria-prima e distribui\u00e7\u00e3o do tamanho das part\u00edculas<\/p>\n
Diferentes tamanhos de part\u00edculas t\u00eam diferentes \u00e1reas de aquecimento e os seus pontos de temperatura de passiva\u00e7\u00e3o ap\u00f3s o aquecimento tamb\u00e9m s\u00e3o diferentes.<\/p>\n
Dispersibilidade das part\u00edculas de mat\u00e9ria-prima<\/p>\n
Durante o processamento do microp\u00f3 de sil\u00edcio angular, especialmente do microp\u00f3 de sil\u00edcio angular ultrafino, a aglomera\u00e7\u00e3o secund\u00e1ria do p\u00f3 ocorre frequentemente devido ao aumento da energia superficial.<\/p>\n
Teor de humidade das mat\u00e9rias-primas<\/p>\n
Se o microp\u00f3 de sil\u00edcio angular utilizado como mat\u00e9ria-prima do microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico for afetado por fatores como a prote\u00e7\u00e3o inadequada, o tempo de armazenamento demasiado longo e a humidade ambiental excessiva, isto far\u00e1 com que o p\u00f3 absorva humidade, tenha um elevado teor de humidade e se aglomere, o que tamb\u00e9m afetar\u00e1 o efeito de esferoidiza\u00e7\u00e3o do microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico.<\/p>\n
Os elementos radioativos nas mat\u00e9rias-primas devem ser baixos<\/p>\n
Para as mat\u00e9rias-primas para a produ\u00e7\u00e3o de microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico de baixa radia\u00e7\u00e3o, s\u00f3 quando os pr\u00f3prios elementos de radia\u00e7\u00e3o (como o ur\u00e2nio U, o t\u00f3rio Th, etc.) s\u00e3o muito baixos \u00e9 que os produtos produzidos podem satisfazer os requisitos do microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico de baixa radia\u00e7\u00e3o.<\/p>\n
Existem dois elos na modifica\u00e7\u00e3o da superf\u00edcie do microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico. Uma delas \u00e9 dispersar as part\u00edculas aglomeradas secund\u00e1rias de mat\u00e9rias-primas de microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico – microp\u00f3 de sil\u00edcio angular, especialmente microp\u00f3 de sil\u00edcio angular ultrafino, e primeiro realizar o tratamento de ativa\u00e7\u00e3o de superf\u00edcie para dispersar as part\u00edculas antes da esfericaliza\u00e7\u00e3o. Isto exige que o dispersante de superf\u00edcie utilizado seja completamente volatilizado a alta temperatura, caso contr\u00e1rio ir\u00e1 provocar dep\u00f3sitos de carbono no microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico, afetando a qualidade do produto.<\/p>\n
A segunda \u00e9 a modifica\u00e7\u00e3o tardia do microp\u00f3 de sil\u00edcio esf\u00e9rico. Quando o microp\u00f3 de sil\u00edcio \u00e9 utilizado como carga inorg\u00e2nica e misturado com resina org\u00e2nica, existem problemas de baixa compatibilidade e dificuldade de dispers\u00e3o, o que leva a uma baixa resist\u00eancia ao calor e \u00e0 humidade de materiais como embalagens de circuitos integrados e substratos, afetando assim a fiabilidade e estabilidade do produto. De forma a melhorar o problema da liga\u00e7\u00e3o da interface entre o microp\u00f3 de sil\u00edcio e os materiais polim\u00e9ricos org\u00e2nicos e melhorar o desempenho da sua aplica\u00e7\u00e3o, \u00e9 geralmente necess\u00e1rio modificar a superf\u00edcie do microp\u00f3 de sil\u00edcio.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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