Yarı iletken ekipmanın “temel gücü” – silisyum karbür bileşenler
Silisyum karbür (SiC), mükemmel özelliklere sahip yapısal bir seramik malzemedir. Silisyum karbür parçalar, yani ana malzemeler olarak silisyum karbür ve onun kompozit malzemelerinden yapılan ekipman parçaları, yüksek yoğunluk, yüksek ısı iletkenliği, yüksek bükülme mukavemeti, büyük elastik modül vb. özelliklere sahiptir ve levhaya uyarlanabilir. epitaksi, aşındırma vb. Üretim sürecindeki son derece aşındırıcı ve ultra yüksek sıcaklıktaki sert reaksiyon ortamı nedeniyle, epitaksiyel büyütme ekipmanı, aşındırma ekipmanı ve oksidasyon/difüzyon/tavlama ekipmanı gibi büyük yarı iletken ekipmanlarda yaygın olarak kullanılır.
Kristal yapısına göre silisyum karbürün birçok kristal formu vardır. Şu anda yaygın olarak kullanılan SiC esas olarak 3C, 4H ve 6H tipleridir. SiC’nin farklı kristal formlarının farklı kullanımları vardır. Bunlar arasında 3C-SiC’ye sıklıkla β-SiC de denir. β-SiC’nin önemli bir kullanımı film ve kaplama malzemesidir. Bu nedenle β-SiC şu anda grafit bazlı kaplamanın ana malzemesidir.
Hazırlama işlemine göre silisyum karbür parçaları kimyasal buhar biriktirmeli silisyum karbür (CVD SiC), reaksiyon sinterlenmiş silisyum karbür, yeniden kristalleştirme sinterlenmiş silisyum karbür, atmosferik basınçta sinterlenmiş silisyum karbür, sıcak presleme sinterlenmiş silisyum karbür, sıcak izostatik presleme sinterleme ve karbonizasyon Silikon vb.
Silisyum karbür parçalar
1. CVD silisyum karbür parçalar
CVD silisyum karbür bileşenleri aşındırma ekipmanlarında, MOCVD ekipmanlarında, SiC epitaksiyel ekipmanlarında, hızlı ısıl işlem ekipmanlarında ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Dağlama ekipmanı: CVD silisyum karbür bileşenleri için en büyük pazar segmenti dağlama ekipmanıdır. Aşındırma ekipmanındaki CVD silisyum karbür bileşenleri arasında odaklama halkaları, gaz duş başlıkları, tepsiler, kenar halkaları vb. yer alır. CVD silisyum karbürün klor ve flor içeren aşındırma gazlarına karşı düşük reaktivitesi ve iletkenliği nedeniyle plazma için ideal bir malzeme haline gelir. gravür ekipmanındaki odak halkaları gibi bileşenler.
Grafit bazlı kaplama: Düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (CVD), şu anda yoğun SiC kaplamaların hazırlanmasında en etkili işlemdir. CVD-SiC kaplamaların kalınlığı kontrol edilebilir ve tekdüzelik avantajlarına sahiptir. SiC kaplı grafit bazlar, tek kristal substratları desteklemek ve ısıtmak için metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) ekipmanlarında yaygın olarak kullanılır. Bunlar MOCVD ekipmanının temel ve temel bileşenleridir.
2. Reaksiyon sinterlenmiş silisyum karbür parçalar
Reaksiyonla sinterlenmiş (reaktif infiltrasyon veya reaksiyon bağlama) SiC malzemeleri için, sinterleme hattındaki büzülme %1’in altında kontrol edilebilir ve sinterleme sıcaklığı nispeten düşüktür, bu da deformasyon kontrolü ve sinterleme ekipmanı gereksinimlerini büyük ölçüde azaltır. Bu nedenle bu teknoloji, büyük ölçekli bileşenlerin kolayca elde edilmesi avantajına sahiptir ve optik ve hassas yapı imalatı alanlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.